Bazele dispozitivelor semiconductoare

Descriere

CAPITOLUL 1. Istoria microelectronicii
PARTEA I: Semiconductoare la echilibru termodinamic
CAPITOLUL 2. Materiale semiconductoare
CAPITOLUL 3. Atomi si electroni
CAPITOLUL 4. Benzi de energie
CAPITOLUL 5. Echilibrul termodinamic
PARTEA a II-a: Semiconductoare la neechilibru
CAPITOLUL 6. DRIFT si difuzie
CAPITOLUL 7. Recombinare
PARTEA a III-a: Jonctiuni PN
CAPITOLUL 8. Fizica jonctiunii PN
CAPITOLUL 9. Electrostatica jonctiunilor PN
CAPITOLUL 10. Caracteristica
directa I-V in regim static
CAPITOLUL 11. Caracteristica inversa I-V
CAPITOLUL 12. Jonctiunea PN in regim dinamic
PARTEA a IV-a: Tranzistoare bipolare cu jonctiune
CAPITOLUL 13. Tranzistor BJT
CAPITOLUL 14. Modelarea caracteristicilor statice BJT
CAPITOLUL 15. Caracteristici dinamice de semnal mic BJT
PARTEA a V-a: Dispozitive unipolare
CAPITOLUL 16. Dioda metal-semiconductor
CAPITOLUL 17. Capacitor MOS ideal
CAPITOLUL 18. Dioda cu poarta
CAPITOLUL 19. Tranzistoare cu efect de camp cu jonctiune JFET
CAPITOLUL 20. Tranzistoare cu efect de camp de suprafata MOSFET
PARTEA a VI-a: Fenomene de ordinul al doilea in dispozitive semiconductoare
CAPITOLUL 21. Recombinare - Generare in regiunea de sarcina spatiala a jonctiunii PN
CAPITOLUL 22. Nivelul mare de injectie
CAPITOLUL 23. Tranzistoare bipolare DRIFT
CAPITOLUL 24. Structura Al-SiO2-Si neideala